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海外動(dòng)態(tài)|1800萬美元投入，美國阿肯色大學(xué)MUSiC計(jì)劃正式破土動(dòng)工
(資料圖片僅供參考)
主要成員參與多用戶碳化硅研究和制造設(shè)施 (MUSiC) 的奠基儀式
據(jù)報(bào)道，該工廠占地 18,660 平方英尺，毗鄰研究和技術(shù)園區(qū)的國家可靠電力傳輸中心，將解決美國在開發(fā)用于各種電子設(shè)備、電路和技術(shù)的碳化硅電子產(chǎn)品方面的競(jìng)爭(zhēng)力障礙。該建筑將設(shè)有約 8,000 平方英尺的潔凈室，用于制造和測(cè)試。
該工廠內(nèi)的教育和培訓(xùn)還將加速勞動(dòng)力發(fā)展，幫助培養(yǎng)下一代半導(dǎo)體制造工程師和技術(shù)人員，Mantooth 和其他領(lǐng)導(dǎo)人表示，這對(duì)于將半導(dǎo)體制造帶回美國至關(guān)重要。
回顧MUSiC計(jì)劃
2021年，美國國家科學(xué)基金會(huì)（NSF）加上美國陸軍研究實(shí)驗(yàn)室的額外支持。合計(jì)計(jì)劃撥款約1800 萬美元投入阿肯色大學(xué)的MUSiC計(jì)劃（Multi-User SiC Research and Fabrication Facility）。用于在阿肯色大學(xué)建造和運(yùn)營國家碳化硅研究和制造設(shè)施。新建的設(shè)施預(yù)計(jì)將在2025年1月完工，屆時(shí)MUSiC將全面啟用。
它將填補(bǔ)美國用碳化硅制造的集成電路的生產(chǎn)空白。當(dāng)時(shí)美國大學(xué)杰出的電氣工程教授、MUSiC的首席研究員Alan Mantoth介紹：“碳化硅已經(jīng)被研究了很長時(shí)間，但直到最近，由于缺乏高質(zhì)量的碳化硅晶圓，將其用作完全開發(fā)的半導(dǎo)體的努力一直受到阻礙。目前，美國所有碳化硅制造設(shè)施僅供內(nèi)部使用，美國碳化硅集成電路的研發(fā)依賴于國際制造?！?/p>
阿爾伯塔大學(xué)設(shè)施將為美國國內(nèi)提供芯片制作、原理驗(yàn)證演示和設(shè)備設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)。它將是美國同類中唯一可公開訪問的制造設(shè)施，這意味著其設(shè)施和服務(wù)將向外部研究人員開放。
Alan Mantoth解釋：“有了MUSiC，這所大學(xué)可以開始培訓(xùn)下一代各種學(xué)位水平的人才，為半導(dǎo)體制造業(yè)的國內(nèi)供應(yīng)商提供訓(xùn)練有素、受過良好教育的人才?！?/p>
除此之外，Alan Mantoth還重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)了8英寸碳化硅晶圓的開發(fā)工作，他表示，與使用硅制造的IC相比，設(shè)計(jì)和制造碳化硅IC面臨著獨(dú)特的挑戰(zhàn)。硅摻雜可以在適當(dāng)?shù)墓に嚋囟认聰U(kuò)散，從而能夠精確控制結(jié)深度、載流子密度和遷移率。而在碳化硅中，摻雜流動(dòng)性較差，擴(kuò)散受限，需要多次注入才能實(shí)現(xiàn)所需的摻雜分布和深度。這也增加了額外的步驟和成本。
另外，碳化硅具有獨(dú)特的材料特性，需要進(jìn)行更高溫度的處理，例如注入后的晶圓退火，需要開發(fā)相應(yīng)的替代技術(shù)來解決這個(gè)問題。但隨著技術(shù)的進(jìn)步和規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益的實(shí)現(xiàn)，預(yù)計(jì)8英寸碳化硅將變得更具成本效益，進(jìn)一步推動(dòng)其在各種應(yīng)用中的采用，所以如何加快8英寸碳化硅晶圓的技術(shù)研發(fā)也是MUSiC的重要課題。
